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IBM´s neuer optischer Phasenwechselspeicher ist 50 mal schneller als Flash-Speicher

Je mehr Daten auf der Welt anfallen, desto größer wird auch das Bedürfnis nach neuen und besseren Speichertechnologien. Die Technik muss dabei über eine hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit verfügen sowie eine lange Haltbarkeit und eine starke Speicherdichte garantieren. Die sogenannte Phase Change Memory (PCM) Technologie bietet dabei ein enormes Potential, um diese Anforderungen bestmöglich zu erfüllen. Forschern des US-Konzerns IBM ist auf diesem Gebiet nun ein Durchbruch gelungen: Erstmals konnten in einer PCM-Zelle drei Bit gespeichert werden. Der Vorteil dieser Weiterentwicklung: Je mehr Bit dabei auf einer Zelle gespeichert werden können, desto stärker erhöht sich die Speicherdichte und desto geringer fallen die Speicherkosten pro Bit aus.